Consideraciones de diseño para dispositivos flash de almacenamiento en caché en vSAN

Planifique la configuración de dispositivos flash para la capacidad basada íntegramente en tecnología flash y la memoria caché de vSAN a fin de proporcionar alto rendimiento y el espacio de almacenamiento necesario, además de adaptarse al crecimiento futuro.

Elegir entre dispositivos flash PCIe o SSD

Elija dispositivos flash PCIe o SSD en función de los requisitos de rendimiento, capacidad, resistencia de escritura y costo del almacenamiento de vSAN.

• Compatibilidad. El modelo de los dispositivos PCIe o SSD debe enumerarse en la sección vSAN de la Guía de compatibilidad de VMware.

• Rendimiento. Los dispositivos PCIe tienen, por lo general, un rendimiento más rápido que los dispositivos SSD.

• Capacidad. La capacidad máxima que está disponible para dispositivos PCIe, por lo general, es mayor que la capacidad máxima que se muestra actualmente para los dispositivos SSD para vSAN en la Guía de compatibilidad de VMware.

• Resistencia de escritura. La resistencia de escritura de los dispositivos PCIe o SSD debe cumplir con los requisitos de capacidad o memoria caché en las configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash y con los requisitos de memoria caché en las configuraciones híbridas.

  Para obtener información sobre los requisitos de resistencia de escritura para las configuraciones híbridas y basadas íntegramente en tecnología flash, consulte la Guía de diseño y dimensionamiento de VMware vSAN. Para obtener información sobre la clase de resistencia de escritura de los dispositivos PCIe y SSD, consulte la sección vSAN de la Guía de compatibilidad de VMware.

• Costo. Los dispositivos PCIe tienen, por lo general, un costo más alto que los dispositivos SSD.

Dispositivos Flash como memoria caché de vSAN

Diseñe la configuración de la memoria caché flash de vSAN para cumplir con los requisitos de resistencia de escritura, rendimiento y crecimiento potencial en función de estas consideraciones.

Tabla 1. Dimensionar la memoria caché de vSAN

Configuración de almacenamiento	Consideraciones
Configuraciones híbridas y basadas íntegramente en tecnología flash	El dispositivo flash de almacenamiento en caché debe proporcionar, al menos, el 10 % del almacenamiento que se espera que se consuma en las máquinas virtuales, sin incluir réplicas, como los duplicados. El atributo Primary level of failures to tolerate (Nivel principal de errores que se toleran) de la directiva de almacenamiento de máquina virtual no afecta el tamaño de la memoria caché. Una proporción más alta entre la memoria caché y la capacidad facilita el crecimiento futuro de la capacidad. El sobredimensionamiento de la memoria caché le permite agregar más capacidad a un grupo de discos existente sin necesidad de aumentar el tamaño de la memoria caché. Los dispositivos flash de almacenamiento en caché deben tener una mayor resistencia de escritura. Cuando un dispositivo flash de almacenamiento en caché alcanza el fin de su vida útil, reemplazarlo es más complicado que reemplazar un dispositivo de capacidad porque esta operación afecta a todo el grupo de discos. Si agrega más dispositivos flash con la finalidad de aumentar el tamaño de la memoria caché, debe crear más grupos de discos. La proporción entre dispositivos flash de almacenamiento en caché y grupos de discos siempre es 1:1. Una configuración de varios grupos de discos proporciona las siguientes ventajas: Menor riesgo de fallo porque habrá menos dispositivos de capacidad afectados si un dispositivo de almacenamiento en caché falla. Rendimiento potencialmente mejorado si se implementan varios grupos de discos que contengan dispositivos flash de almacenamiento en caché más pequeños. No obstante, cuando se configuran varios grupos de discos, aumenta el consumo de memoria de los hosts.
Configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash	En las configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash, vSAN usa la capa de memoria caché únicamente para el almacenamiento en caché de escritura. La memoria caché de escritura debe poder controlar una gran cantidad de actividades de escritura. Este enfoque prolonga la vida útil de la tecnología flash de capacidad que puede ser menos costosa y puede tener una menor resistencia de escritura.
Configuraciones híbridas	Si, por motivos de rendimiento, se configura la reserva de memoria caché de lectura en la directiva de almacenamiento de máquina virtual activa, los hosts del clúster de vSAN deben tener suficiente memoria caché para satisfacer la reserva durante una operación de mantenimiento o de recompilación posterior a un error. Si la memoria caché de lectura disponible no es suficiente para satisfacer la reserva, se produce un error en la operación de mantenimiento o de reconstrucción. Use la reserva de memoria caché de lectura solamente si debe cumplir un requisito de rendimiento específico conocido para una carga de trabajo en particular. El uso de instantáneas consume recursos de memoria caché. Si tiene pensado usar varias instantáneas, considere la posibilidad de dedicar más memoria caché que la proporción convencional del 10 % entre la capacidad de memoria caché y la capacidad utilizada.