Planifique la configuración de dispositivos flash para la capacidad basada íntegramente en tecnología flash y la memoria caché de vSAN a fin de proporcionar alto rendimiento y el espacio de almacenamiento necesario, además de adaptarse al crecimiento futuro.
Elegir entre dispositivos flash PCIe o SSD
Elija dispositivos flash SSD en función de los requisitos de rendimiento, capacidad, resistencia de escritura y costo del almacenamiento de vSAN.
- Compatibilidad. El modelo de los dispositivos SSD debe enumerarse en la sección vSAN de la Guía de compatibilidad de VMware.
- Rendimiento. Los dispositivos PCIe tienen, por lo general, un rendimiento más rápido que los dispositivos SATA.
- Capacidad. La capacidad máxima que está disponible para dispositivos PCIe, por lo general, es mayor que la capacidad máxima que se muestra actualmente para los dispositivos SATA para vSAN en la Guía de compatibilidad de VMware.
- Resistencia de escritura. La resistencia de escritura de los dispositivos SSD debe cumplir con los requisitos de capacidad o memoria caché en las configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash y con los requisitos de memoria caché en las configuraciones híbridas.
Para obtener información sobre los requisitos de resistencia de escritura para las configuraciones híbridas y basadas íntegramente en tecnología flash, consulte la Guía de diseño y dimensionamiento de VMware vSAN. Para obtener información sobre la clase de resistencia de escritura de los dispositivos SSD, consulte la sección vSAN de la Guía de compatibilidad de VMware.
- Costo. Los dispositivos PCIe tienen, por lo general, un costo más alto que los dispositivos SSD.
Dispositivos Flash como memoria caché de vSAN
Diseñe la configuración de la memoria caché flash de vSAN para cumplir con los requisitos de resistencia de escritura, rendimiento y crecimiento potencial en función de estas consideraciones.
Configuración de almacenamiento | Consideraciones |
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Configuraciones híbridas y basadas íntegramente en tecnología flash |
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Configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash | En las configuraciones basadas íntegramente en tecnología flash, vSAN usa la capa de memoria caché únicamente para el almacenamiento en caché de escritura. La memoria caché de escritura debe poder controlar una gran cantidad de actividades de escritura. Este enfoque prolonga la vida útil de la tecnología flash de capacidad que puede ser menos costosa y puede tener una menor resistencia de escritura. |
Configuraciones híbridas | El dispositivo flash de almacenamiento en caché debe proporcionar, al menos, el 10 % del almacenamiento que se espera que se consuma en las máquinas virtuales, sin incluir réplicas, como los duplicados. El atributo Nivel primario de errores que se toleran de la directiva de almacenamiento de máquina virtual no afecta el tamaño de la memoria caché. Si se configura la reserva de memoria caché de lectura en la directiva de almacenamiento de máquina virtual activa, los hosts del clúster de vSAN deben tener suficiente memoria caché para satisfacer la reserva durante una operación de mantenimiento o de recompilación posterior a un error. Si la memoria caché de lectura disponible no es suficiente para satisfacer la reserva, se produce un error en la operación de mantenimiento o de reconstrucción. Use la reserva de memoria caché de lectura solamente si debe cumplir un requisito de rendimiento específico conocido para una carga de trabajo en particular. El uso de instantáneas consume recursos de memoria caché. Si tiene pensado usar varias instantáneas, considere la posibilidad de dedicar más memoria caché que la proporción convencional del 10 % entre la capacidad de memoria caché y la capacidad utilizada. |